공지사항
제5회 삼성전기 1nside Edge 논문대상
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제5회 삼성전기 1nside Edge 논문대상
디지털 세상의 미래를 창조하는 초일류 전자 부품 기업, 삼성전기가
역량있는 인재들의 연구활동을 후원하기 위해 '1nside Edge 논문대상' 를 운영하고 있습니다.
1nside Edge 논문대상은 젊은 인재들의 자유로운 발상과 잠재된 기술력을 발현시키기 위해, 삼성전기가 운영하는 새로운 개념의 학술논문 대상입니다.
삼성전기의 '1nside Edge 논문대상'은 3대 전략 기술 및 8대 제품중심으로 우수 기술인력을 발굴하고 산학협동의 토대를 구축하는 한편 역량있는 인재들의 연구활동을 후원함으로써 글로벌 환경 속에서 세계 최고의 경쟁력과 기술력을 확보할 수 있는 기반을 조성하고자 제정되었습니다.
앞으로 삼성전기의 Inside Edge 논문대상은 국내는 물론 세계가 인정하는 권위와 실용의 학술논문대상으로 성장해 나갈 것입니다.
또한 Inside Edge 논문대상의 결실을 통해 기술적 리더십을 가지고 디지털 세상의 핵심가치를 창출하는 초일류 전자부품기업의 비전을 더 빨리 실현해 나가겠습니다.
이공계 대학생, 대학원생의 꿈과 희망을 펼칠 수 있는 '1nside Edge 논문대상' 에 여러분들의 많은 참여와 관심 바랍니다.
■ 응모 자격
국내외 재학중인 대학 및 대학원생 (Post-Doc, 외국인 포함)
[응모분야 및 세부주제]
▶ 소재 기술 분야
고분자, 세라믹, 형광체, 복합재료, LTCC, 나노, 분산, MEMS, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping 등), 수동/능동소자 내장 기판, Supercapacitor
▶ 무선 분야
Analog & Digital IC Design, Wireless Communication Systems, Wireless Network Protocol Design and analysis, SoC for wireless application, Ad Hoc and Sensor Network
▶ 전력전자 분야
Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술,
열 / EMI/EMC 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스 설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술
▶ 기반기술 분야
열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링, Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation, 나노 형태/성분 표면 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 원자 탐침 분석 및 전자현미경 등 신 나노분석 평가법 개발, Bio chip
▶ 생산기술 분야
Electronic Packaging / Test, Plating, MCC (Micro Contamination Control) 기술, Yield / Failure Analysis , Visual Inspection, 지능 제어, 초정밀제어(위치, 속도, 토크), 광학계 설계 및 계측, 렌즈 설계 및 금형, 나노 가공(극소형 금형기술, 미세형상 성형기술), lithography, laser 가공, 전기/전자 계측
■ 시상내역 및 특전
- 대상(1편) 상패 및 700만원
* 박사 : 입사를 원하는 경우 입사 후 해외 Post-Doc 1년 지원.
* 석사/학사 : 대여 장학생 자격 부여
- 금상(1편) 상패 및 500만원
- 은상(1편) 상패 및 300만원
- 동상(2편) 상패 및 100만원
** 금상/은상/동상 : 수상자 중 입사시 가점 부여
■ 일정
- '09. 5. 06(수) ~ '09. 6. 29(월) 논문제목 및 초록 접수 마감(삼성전기 홈페이지 등록)
- '09. 7. 10 (금) 1차 초록심사 결과 발표
- '09. 9. 14 (월) &nbs